SB200 および Si8000間での特性インピーダンス パラメータの転送

アプリケーション ノート 179

SB200 は特性インピーダンス構造を層構成の層に追加する機能を備えています。SB200 は Polar Instruments Si8000 特性インピーダンス フィールド ソルバーに統合されていますので、構造の特性インピーダンス値をボタンをクリックするだけで計算することができます。

構造パラメータを Si8000 クイック ソルバーにコピーして処理（例えば Si8000 ゴールシーク機能で）し、その計算値を SB200 に 貼り付けて層構成に挿入することもできます。

このアプリケーション ノートでは SB200 と Si8000間で特性インピーダンス パラメータをやりとりし、正しいインピーダンス値の特性インピーダンス構造を層構成層に加える手順について説明します。

1. SB200 バージョン 2.00 および Si8000m バージョン 3.00 を使用していることを確認します。

2. SB200 および Si8000 双方のアプリケーションを起動します。

3. SB200 を選択し、サンプル層構成を開きます。

4. 電気層を選択（クリック）します。それを層 1 とします。

(ヒント — 最初にツールバーのアイコンで 2D 表示を選択すると簡単にできます。)

5. Controlled Impedance　タブ（青の ＋ マークが表示されます）を選択します。

6. 構造の追加 — coated microstrip とします。

コピー・貼り付けのアイコン（Si8000 とパラメータをやりとりする）が SB200　のツールバーの右に表示されます。

7. 目標インピーダンスを特性インピーダンス区画の下にある欄に設定します（この場合は 50 オーム）。.

8. 導体幅など必要に応じてパラメータを入力します。

9. コピー アイコンで Si8000 のクリックボードに貼り付けます（赤の矢印の左側のアイコン）。

10. Si8000 アプリケーションを選択します。

11. （右側の）「Paste From SB200」 ボタンで SB200 から特性インピーダンスのパラメータを貼り付けます
(Si8000 が自動的に正しい構造を読み込みます）。 — 選択した単位が正しいか確認します。.

12. 線路幅のゴールシーク...(Lower Trace Width ボタンをクリックします。目標値に達しない場合には戻って層構成を調整します。

13. Copy to SB200 ボタンでパラメータを SB200 にコピーし、SB200 に戻る。そこで情報（Paste From Si8000) を貼り付けて層構成に戻します。

14.  Si8000 パラメータを SB200 に戻し、計算ボタン を選択して現在の構造を再度計算します。

お問い合わせ: 電話： アメリカ / カナダ  メキシコ - ソフトウェア販売 Ken Taylor +1 503 356 5270 お電話ください。 アジア / 太平洋地域 Amit Bhardwaj +65 6873 7470 お電話ください。 イギリス / ヨーロッパ Neil Chamberlain +44 23 9226 9113 お電話ください。

Polar Instruments Ltd www.polarinstruments.com mail@polarinstruments.com 電話：+44 1481 253081 ファックス： +44 1481 252476

© Polar Instruments 2006. Polar Instruments は常に改善を心がけております。よって、本書の仕様は予告なく変更される場合がありあます。無断転載を禁ず